北京，2014年9月15日 -- 企业级存储领域领导者，HGST（昱科环球存储科技公司, 西部数据集团（NASDAQ: WDC）旗下子公司）今日宣布，作为与英特尔公司在串行连接SCSI（SAS）固态硬盘（SSD）方面的合作协议的一部分，HGST将继续使用英特尔NAND闪存技术。自2008年以来，HGST公司已成功地与英特尔合作，为服务器、工作站和存储系统开发出业界领先的企业级SAS SSD。双方合作的产品将HGST的企业级存储经验与英特尔的NAND闪存技术相结合，为HGST获得SAS SSD硬盘领域的领先地位奠定了基础。
英特尔对NAND闪存技术研究和SSD开发方面的聚焦和投资为下一代NAND光刻技术带来了行业领先的技术进步，同时带来了高耐用性的SSD技术。HGST在SAS设计、固件、可靠性、客户测试和系统集成等方面的专业性获得了业界的广泛认可并久经考验。与英特尔的合作使HGST能够提供可以满足企业级客户所需要的高性能、高耐用性和高可靠性的世界一流的存储解决方案。
HGST与英特尔的技术合作已经成功创造出四代卓越的SAS SSD。此次声明意味着在未来的三年中，HGST将在企业级SAS SSD产品中继续使用英特尔NAND闪存技术。这些解决方案将继续由HGST独家销售，并作为HGST公司HDD、SSD、软件和解决方案等综合产品和解决方案的一部分，帮助数据中心的管理人员构建未来的IT基础设施。
HGST闪存平台事务部高级副总裁兼总经理Mike Gustafson表示：“对于在过去六年中HGST与英特尔共同合作取得的成就，我们深感自豪。HGST将继续大幅投资于企业级SSD领域，与合作伙伴的战略性合作也是我们整体战略中的一个关键因素。英特尔在NAND闪存方面的专业性与我们在企业级存储方面的专业实力相辅相成，成就了我们的行业领导地位。我们期待HGST Ultrastar SAS SSD产品线的不断成功。”
英特尔非易失性存储解决方案集团（Non-Volatile Memory Solutions Group）副总裁兼总经理Rob Crooke表示：“与HGST的合作，凸显了我们在为高企业级工作负载提供最佳SSD解决方案方面所给予的重视。在该产品开发方面的努力，推进了我们在NAND闪存技术方面的创新和进步，使我们可以进入重要的SAS SSD 市场。数据中心在解决方案的可扩展性和灵活性方面存在痛点，我们的解决方案将系统性能和集成简易性作为全新和固有的系统设计，满足了他们在这方面的需求。
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